【概要】
　
　中国の研究者が半導体製造におけるフォトレジスト技術で大きな進展を達成した。この進展は、リソグラフィーの欠陥を大幅に削減し、半導体デバイスの生産歩留まりを著しく向上させる可能性を持つものである。このブレークスルーは、中国が半導体分野における完全な独立と制御性の実現を加速させていること、そして産業チェーンの川上から川下まで主要な技術的進歩を遂げていることを示すものと報じられている。

【詳細】　

　北京大学の化学・分子工学院の研究チームが、産業界の協力者とともに、クライオ電子トモグラフィー(cryo-ET)の手法を用いて、液体の環境下にあるフォトレジスト分子の微細な三次元構造、界面分布、および絡み合いの挙動を初めて分析した。この分析結果は、リソグラフィー欠陥を著しく減少させる産業的なソリューションの開発を導いた。この成果は2025年9月30日にNature Communicationsに掲載された。

　研究チームによると、この新しいプロセスは、12インチウェハーにおいて、気液界面でのポリマーの絡み合いを抑制することにより、現像されたパターンにおけるポリマー残留物を99パーセント削減し、欠陥を解消した。研究者の一人であるWang Hongwei氏は、このプロトコルが卓越した信頼性と再現性も示していると述べている。

　リソグラフィーは集積回路(IC)半導体製造プロセスにおいて微細化を持続させる中核的な推進力であり、フォトレジストはリソグラフィー装置に用いられる主要な材料である。

　この技術的進展は、半導体産業にとって、リソグラフィー、エッチング、湿式洗浄などの先端製造プロセスにおける欠陥制御と歩留まり向上を促進し、チップ性能の発展に新たな勢いを注入するものだと、研究チームを率いるPeng Hailin氏は述べている。

　中国の半導体メーカーの急速な成長と川下需要の拡大に伴い、中国のフォトレジスト市場規模は拡大を続けている。ある調査レポートによると、中国のフォトレジスト市場規模は2024年に114億元(16億ドル)を超えると予測されている。KrFフォトレジストなどの中・ハイエンド製品の国産化代替プロセスが加速すると見込まれており、2025年には市場規模が123億元に達すると推定されている。

【要点】

　・技術的進歩: 中国の研究者が半導体製造におけるフォトレジスト技術でブレークスルーを達成し、リソグラフィーの欠陥を大幅に削減可能とした。

　・方法論: 北京大学の研究チームがcryo-ETを用いて、液中のフォトレジスト分子の三次元構造、界面、絡み合い挙動を初めて分析し、産業ソリューションの開発に繋げた。

　・効果: 新しいプロセスにより、12インチウェハーでのポリマー残留物が99パーセント削減され、欠陥が解消された。信頼性と再現性も高い。

　・意義: これは中国の半導体製造装置分野における重要な進展であり、半導体の独立と制御性の実現に向けた加速と、産業チェーン全体での主要な技術的進歩を示すものとされる。

　・市場動向: 中国のフォトレジスト市場は成長しており、2025年には123億元に達すると推定され、中・ハイエンド製品の国産化代替が加速すると見込まれている。

【引用・参照・底本】

Chinese researchers achieve breakthroughs in photoresist development for semiconductors: report GT 2025.10.26
https://www.globaltimes.cn/page/202510/1346563.shtml