韓国の半導体産業の課題2024年03月24日 19:28

国立国会図書館デジタルコレクション「東海道五十三次之内 二タ川之図 (東海道五十三次)」を加工して作成
 韓国の半導体産業における懸念と課題に焦点を当てている。

 韓国の半導体産業は、特にメモリー市場において、輸出額の急激な減少に直面している。この減少は、業況に左右されやすいメモリー中心の産業構造の弱点が露呈した結果と見られている。

 非メモリー半導体市場では、韓国の影響力は限定的であり、ファウンドリ市場においても主要な競争相手である台湾のTSMCに対して追いつけていない。

 サムスン電子は、メモリー部門において競争力を失いつつあり、特にAI時代の新しい半導体地形に対応できていないとされている。また、非メモリー分野への事業拡張も難航している。

 中国の半導体産業の台頭や、米国など他の主要国の戦略的な半導体ファブ(註)の建設など、外部要因も韓国の半導体産業に影響を与えている。

 韓国政府は、半導体産業の支援策を強化しており、2030年までに非メモリー半導体分野でのトップの座を目指している。しかし、過剰投資や他国の政策による競争も懸念されている。

 韓国の半導体産業が直面する課題と、それに対する取り組みが詳細に述べられている。

【視点】

韓国の半導体産業、メモリーと非メモリーで明暗

メモリー半導体:輸出額5年間で半減

サムスン電子とSKハイニックスを中心に、世界シェア60%を占める
2018年には830億ドルだった輸出額は、2023年には429億ドルに
原因:業況変動の影響を受けやすいメモリー中心の産業構造

非メモリー半導体:韓国の影響力は微々たるもの

世界シェアは3.3%で、台湾、日本、中国を下回る
半導体設計分野の強い米国が54.5%を占める
市場規模はメモリーよりも大きく、成長も安定

サムスン電子、AI時代に対応できず苦戦

メモリー部門:HBM3の供給問題で競争力低下
非メモリー部門:ファウンドリ市場でTSMCに大きく遅れ
2030年までに非メモリー1位を目指す目標達成は難しい

AI時代の半導体市場:新たな挑戦とチャンス

AI、自動運転、オンデバイスAIなどの需要増加
サムスン電子:3ナノメートルからGAA工程を導入
政府支援:京畿南部に世界最大規模の半導体クラスター建設

懸念:過剰投資と人材流出

主要国による半導体ファブ建設競争
2~3年後に供給過剰問題が顕在化する可能性
米国の新規ファブ稼動で韓国の半導体人材流出の懸念

未来を見据えた戦略が必要

メモリーと非メモリー両方の分野で競争力を強化
技術開発と人材育成への継続的な投資
国際的な協力関係の構築

・韓国の半導体産業は、サムスン電子とSKハイニックスを筆頭に世界2位を維持しているが、近年は課題が顕著になっている。

メモリー半導体輸出額は5年間で半分に減少。
非メモリー市場への事業拡張が難航。
サムスン電子は、AI時代の半導体地形に対応できていない。
中国の追い上げと米国の輸出統制も懸念材料。

・サムスン電子の苦境

HBM3の供給問題で競争力を失い、AIサーバー市場で苦戦。
非メモリー分野でもTSMCに大きく水をあけられている。
3ナノメートル工程の収率問題も抱えている。

・政府の支援と未来への課題

韓国政府は、京畿南部に世界最大規模の半導体クラスターを建設する計画。
しかし、主要国による競争激化や供給過剰問題も懸念される。

・未来への対応

メモリー依存からの脱却と非メモリー分野への積極投資が必要。
AI時代のニーズに対応できる技術開発と人材育成が求められる。
政府は、企業との連携を強化し、競争力強化を支援すべき。

・韓国の半導体産業、メモリーと非メモリーで明暗分かれる

2018年には830億ドルだったメモリー半導体輸出額は、2023年には429億ドルにまで減少。

原因は、需要変動の影響を受けやすいメモリー中心の産業構造。

サムスン電子とSKハイニックスのシェアは依然として高いが、競争力強化が求められる。

・非メモリー半導体:サムスン電子、TSMCに後れを取る

サムスン電子は、汎用半導体市場への参入に成功したが、AI時代の新しいニーズに対応できていない。

HBM3の供給問題や、顧客オーダーメード技術の遅れなどが課題。

ファウンドリ事業でも、TSMCとの競争に苦戦。

2023年第4四半期のシェアは、TSMCが61.2%、サムスン電子が11.3%。

・政府の支援と課題

韓国政府は、京畿南部に世界最大規模の半導体クラスターを建設する計画。

2047年までの完成を目指し、サムスン電子とSKハイニックスが622兆ウォンを投資。

政府は税制優遇やインフラ整備などを支援。

ただし、米中対立や主要国の半導体産業育成政策の影響も懸念される。

・未来への課題

メモリーと非メモリー両分野で競争力を強化する必要がある。

AI時代のニーズに対応した技術開発と人材育成が重要。

過剰投資による競争激化への備えも必要。

(註)
半導体ファブ(Fabrication Plant、ファブリケーションプラント)は、半導体デバイス(チップ)を製造する工場のことを指す。ここでは、半導体ウェハー(シリコンの円盤状基板)上に微細な回路や構造を作り出すための工程が行われる。

半導体ファブでは、主に以下の工程が行われるる。

ウェハーの作成: シリコンなどの半導体素材から均一な厚さのウェハーが作られます。

フォトリソグラフィー: 光学パターニング技術を使用して、ウェハー上に微細なパターンを転写する。

エッチング: フォトリソグラフィーで定義されたパターンに基づいて、不要な部分を除去する。

ドーピング: ウェハーに不純物を添加して、半導体の電気的特性を制御する。

金属化: 導体層や絶縁層を形成し、電気的な接続を実現する。

これらの工程を経て、1つのウェハーから複数のチップが製造される。半導体ファブでは、これらの工程を高度な精度と清潔な環境で行うことが重要である。また、半導体ファブの設備や技術は常に進化しており、最新の製造プロセスを採用することが求められる。

(註はブログ作成者が参考の為に付記した。)

引用・参照・底本 

メモリー輸出も、AI時代の非メモリーも不振…赤信号灯った「半導体強国」韓国 HANKYOREH 2024.03.23

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